La frase memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los módulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.
Su capacidad se mide en bytes, y dada su naturaleza siempre binaria, sus múltiplos serán representados en múltiplos binarios tales como Kigabyte, Megabyte, Gigabyte... Y así sucesivamente desde Giga, Tera, Hexa y Zota.
Módulos de la memoria RAM
SIMM
SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta desde arriba).
30, VRAM de 68, y 72 contactos.
SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C.
Historia
En los tiempos de la Computadora doméstica y del computador personal, los circuitos integrados de memoria (por lo general DIP de 14 o 16 pines) se soldaban o se insertaban en zócalos sobre la tarjeta madre como cualquier otro componente de la misma. Esto suponía el uso de un área muy grande ya que los integrados iban colocados uno al lado del otro, además que en el caso de un fallo, la reparación era difícil o imposible condenando toda la placa. La actualización de memoria no se contemplaba en equipos individuales, dado que el mercado de memoria no era tan común. Con el desarrollo de nuevas tarjetas madre se hicieron claras esas desventajas y en un principio se plantearon formatos SIPP (no estándar en computadores 80286) que fueron las primeras presentaciones modulares de memoria RAM y el antecedente directo de las SIMM.
Skip Coppola propuso durante su estancia en IBM usar un SIPP de 3,5 pulgadas sin los pines que tan fácilmente se quebraban. IBM los adopta como estándar en su gama IBM Personal System/2, y se extienden a todos los compatibles con CPU Intel 80286 e Intel 80386. Es también adoptado por Apple para sus Mac (el Macintosh IIfx usa unos SIMMs no estándar de 64 pines, y la VRAM de los Macintosh LC de 68), y más tardíamente por Atari (en los Atari STe y Atari MEGA STe, aunque de los primeros existen unos pocos con SIPPs en lugar de SIMMs) y Commodore para los Amiga (los fabricantes de ampliaciones lo hicieron mucho antes). Se construyen de 8 chips + uno de paridad (9 bits) o sin paridad (8 bits, con el ahorro de un chip, pero menor fiabilidad), mayoritariamente de doble cara, y con capacidades de 256 kB, 1 MB, 4 MB, 16 MB. En algunos sistemas debían usarse a pares ya que cada banco de memoria estaba integrado por dos módulos.
Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la placa madre, convierte los conectores en independientes del formato de chip de memoria utilizado, y aporta más seguridad a la hora del mantenimiento y las ampliaciones. Vienen además nominados en Bytes en lugar de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a presión, pero al poco se generaliza el formato actual de inserción por giro.
La aparición del Intel 80486 trae también el paso al nuevo formato de 108 mm (4,25 pulgadas) y 72 pines. Esto era debido a que en un 386/486 era necesario instalar 4 SIMMs de 30 pines para completar una bancada de memoria. Dicha bancada podía sustituirse por un sólo DIMM de 72 pines (dos en los equipos Pentium) lo que permitió conservar el factor de forma Baby AT en las placas madre pese a cuadruplicarse la capacidad de memoria. Se fabrican con memoria EDO/FPM/ECC y capacidades de 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB (estos últimos sólo usados en servidores).
El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentación de los módulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran de 32 bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits han sido reemplazados por los DIMM, que son el nuevo factor de forma estándar para los módulos de memoria usados en ordenadores personales, en los que la capacidad de almacenamiento ya se mide en gigabytes.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para chequeo, o control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad.
Formato SO-DIMM.
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementación DRAM se basa en una topología de Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de decenas o cientos de Megabits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la identificación de los mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicación SPD.
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zócalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros módulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. Otros módulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estándares de la industria como los JEDEC.
* Módulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
* Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
* Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.
Relación con el resto del sistema
Diagrama de la arquitectura de un ordenador.
DIMM
Módulos de memoria en formato DIMM (dos módulos SDRAM PC133).
DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.
Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.
Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de los 32 bits de los SIMMs.
Funciona a una frecuencia de 133 MHz cada una.
Los módulos en formato DIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble),al ser memorias de 64 bits, lo cual explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.
Especificación de los módulos DIMM
* DIMMs de 168 contactos, SDR SDRAM. (Tipos: PC66, PC100, PC133, ...)
* DIMMs de 184 contactos, DDR SDRAM. (Tipos: PC1.600 (DDR-200), PC2.100 (DDR-266), PC2.400 (DDR-300), PC2.700 (DDR-333), PC3.00 (DDR-366), PC3.200 (DDR-400), PC3.500 (DDR-433), PC3.700 (DDR-466), PC4.000 (DDR-500), PC4.300 (DDR-533), PC4.800 (DDR-600) => Hasta 1 GiB/módulo)
* DIMMs de 240 contactos, DDR2 SDRAM. (Tipos: PC2-3.200 (DDR2-400), PC2-3.700 (DDR2-466), PC2-4.200 (DDR2-533), PC2-4.800 (DDR2-600), PC2-5.300 (DDR2-667), PC2-6.400 (DDR2-800), PC2-8.000 (DDR2-1.000), PC2-8.500 (DDR2-1.066), PC2-9.200 (DDR2-1.150) y PC2-9.600 (DDR2-1.200) => Hasta 4 GiB por módulo)
* DIMMs de 240 contactos, DDR3 SDRAM. (Tipos: PC3-6.400 (DDR3-800), PC3-8.500 (DDR3-1.066), PC3-10.600 (DDR3-1.333), PC3-11.000 (DDR3-1.375), PC3-12.800 (DDR3-1.600),PC3-13.000 (DDR3-1.625), PC3-13.300 (DDR3-1.666), PC3-14.400 (DDR3-1.800), PC3-16.000 (DDR3-2.000) => Hasta 4 GiB por módulo)
Correción de errores
Los ECC DIMMs son aquellos que tienen un mayor número de bits de datos, los cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizás el más común es el Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los módulos ECC están formados normalmente por múltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo más usual.
Organización
La mayoría de módulos se construyen usando "x4" (de 4) los chips de memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.
En el caso de los "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso, el módulo de doble cara es único en la clasificación.
Para "DIMM x8",cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria sólo se refiere a un lado a la vez (el módulo de dos caras es de doble clasificación).
"Filas" de los módulos
Las filas no pueden ser accedidas simultáneamente como si compartieran el mismo camino de datos. El diseño físico de los chips en un módulo DIMM no hace referencia necesariamente al número de filas.
Las DIMMs frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refiriéndose a la ubicación de los chips de memoria que están en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusión ya que no se refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o a qué formas hay de acceder a ellos.
Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de entrada/salida, sólo hay conjunto de chips que se activan para leer o recibir una escritura en los 64 bits. En la mayoría de sistemas electrónicos, los controladores de memoria son diseñados para acceder a todo el bus de datos del módulo de memoria.
En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Sólo una de las filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM.
Las filas son accedidas mediante señales "chip select" (CS). Por lo tanto para un módulo de dos filas, las dos con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una señal CS por .
Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de los registros del procesador y de las cachés. Es una memoria relativamente rápida y de una capacidad media: sobre el año 2010), era fácil encontrar memorias con velocidades de más de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por módulo, llegando a verse memorias pasando la barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante prácticas de overclock extremo. La memoria RAM contenida en los módulos, se conecta a un controlador de memoria que se encarga de gestionar las señales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas señales son las mismas que se utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos almacenados y señales de control.
El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una tecnología de memoria, por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos tecnologías (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las épocas transitorias de una nueva tecnología de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la placa base; o en su defecto, dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7) y posteriores; y son los encargados de manejar la mayoría de información que entra y sale del procesador.
BUSES
Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y alimentación. Entre todas forman el bus de memoria:
* Bus de datos: Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador.En ese caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para completar lo que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de haber aumentar el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64 bits a principios de los 90.
* Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se envía en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de control. En cada estándar de módulo se establece un tamaño máximo en bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la capacidad máxima por módulo.
* Señales misceláneas: Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Están las líneas de comunicación para el integrado de presencia que da información clave acerca del módulo. También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj en las memorias sincrónicas SDRAM.
Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de canal doble (Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador. La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del equipo. Esta característica ha promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zócalos que soportan doble canal o superior.
Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble canal.
Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz (A día de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz).
Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.
SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos disponibles son:
* PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
* PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.
DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles. Los tipos disponibles son:
* PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.
* PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 166 MHz.
* PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 200 MHz.
Módulo de memoria DDR.
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Se utiliza la nomenclatura PCxxxxx, dónde se indica el ancho de banda del módulo y pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de cálculo para PC1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes/s
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:
* Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMMs en el mismo banco de slots.
* Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.
Especificaciones estándar
Chips y Módulos
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado (overclock).
Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparación con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2 SDRAM), y pueden ser diferenciados de los DIMMs SDRAM por el número de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede reducir perceptiblemente el uso de energía. Nota: algunos DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 o 2,7 V.
Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo que dobla o cuadruplica el ancho de banda efectivo.
SDRAM DDR2.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:
* PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.
* PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 667 MHz.
* PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
* PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
* PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz
Módulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente llamado ancho de banda).
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:
* PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
* PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333 MHz.
* PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
RDRAM (Rambus DRAM)
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la tecnología DDR, libre de patentes, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. La RDRAM se presenta en módulos RIMM de 184 contactos.
Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:
* La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
* Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y las memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación Memtest86+ que detecta fallos de memoria.
Memoria RAM registrada
Es un tipo de módulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen circuitos integrados que se encargan de repetir las señales de control y direcciones. Las señales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que está ubicado en el módulo mismo. Las señales de datos pasan directamente del bus de memoria a los CI de memoria DRAM.
Estas características permiten conectar múltiples módulos de memoria (más de 4) de alta capacidad sin que haya perturbaciones en las señales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria principal (8 a 16 GiB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga eléctrica a las señales enviadas por el controlador, fenómeno que no sucede con las registradas por estar de algún modo aisladas.
Entre las desventajas de estos módulos están el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de acceso a una posición no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho más alto que el de las memorias de PC. Este tipo de módulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de que se pueden instalar físicamente en el zócalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro geométrico del circuito impreso, además de que estos módulos suelen ser algo más altos.