Actualmente el mercado está mostrando una clara tendencia hacia las memorias NAND, lo que viene a ser conocido como dispositivos de almacenamiento sólido (SSD) frente a los discos duros magnéticos tradicionales. Elpida y Sharp están desarrollando una nueva tecnología conocida como ReRAM (Resistive Random Access Memory) que permitirá un aumento considerable de rendimiento. Pero, ¿cuánto es "considerable"? Según ambas compañías, el aumento puede llegar a ser de hasta 10.000 veces el actual.
Las memorias utilizadas a día de hoy son NAND y a pesar de que son buenas desde el punto de vista de que permiten almacenar datos sin conexión eléctrica, son lentas para los tiempos que corren debido a los sistemas ECC que integran. ReRAM traerá un gran aumento en rendimiento, lo que podría posibilitar el copiar una película HD en segundos.
El proyecto compartido por las compañías Sharp y Elpida ha despertado curiosidad en la [b]Universidad de Tokyo y el Instituto Nacional de Tecnología y Ciencia Industrial Avanzada de Japón[/b], así como también fabricantes de chips que se están uniendo al proyecto. Además de lo anterior, las memorias tienen un consumo virtualmente 0 en modo de espera.
[b]ReRAM [/b]podría comenzar a ser producida en masa para el año [b]2013[/b], aunque tenemos que pensar que hay otras tecnologías alternativas a esta como [b]PRAM[/b], memorias de cambio de fase, y [b]MRAM [/b]-memorias magnetoresistivas.
Las memorias utilizadas a día de hoy son NAND y a pesar de que son buenas desde el punto de vista de que permiten almacenar datos sin conexión eléctrica, son lentas para los tiempos que corren debido a los sistemas ECC que integran. ReRAM traerá un gran aumento en rendimiento, lo que podría posibilitar el copiar una película HD en segundos.
El proyecto compartido por las compañías Sharp y Elpida ha despertado curiosidad en la [b]Universidad de Tokyo y el Instituto Nacional de Tecnología y Ciencia Industrial Avanzada de Japón[/b], así como también fabricantes de chips que se están uniendo al proyecto. Además de lo anterior, las memorias tienen un consumo virtualmente 0 en modo de espera.
[b]ReRAM [/b]podría comenzar a ser producida en masa para el año [b]2013[/b], aunque tenemos que pensar que hay otras tecnologías alternativas a esta como [b]PRAM[/b], memorias de cambio de fase, y [b]MRAM [/b]-memorias magnetoresistivas.
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