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Transistores diez mil veces más rápidos que los actuales

Ciencia Educacion1/21/2013




Transistores diez mil veces más rápidos que los actuales



Los transistores, componentes fundamentales de la electrónica moderna, podrían ser hasta 10.000 veces más rápidos de lo que son en la actualidad, si se logra materializar un nuevo y revolucionario sistema basado en pulsos láser, que está siendo desarrollado por el equipo de Mark Stockman y Vadym Apalkov de la Universidad Estatal de Georgia en Atlanta, Estados Unidos, en colaboración con un grupo de especialistas dirigido por Ferenc Krausz del Instituto Max Planck para la Óptica Cuántica y otras destacadas instituciones alemanas.

Conductores, semiconductores y aislantes eléctricos son tres clases de materiales comunes en la electrónica.

En condiciones normales, los materiales dieléctricos no sirven para conducir la electricidad, y sufren daños si se les aplican campos de energía demasiado altos.




El nuevo sistema ahora en fase de estudio permitiría crear transistores diez mil veces más rápidos que los actuales.



Sin embargo, el equipo citado de investigación y desarrollo descubrió que cuando a los materiales dieléctricos se les aplican pulsos muy cortos e intensos de láser, dejan de comportarse como aislantes y empiezan a conducir la electricidad, sin sufrir daños.

El plazo de tiempo más corto en que un material dieléctrico es capaz de procesar señales está en el orden de 1 femtosegundo, un plazo acorde con el de oscilación de la onda de luz.

Los dispositivos dieléctricos prometen permitir el desarrollo de una computación mucho más rápida que la posible hoy en día con los semiconductores.

Un dispositivo dieléctrico para esas aplicaciones puede trabajar a 1 petahercio, mientras que los procesadores de los ordenadores típicos de hoy no suelen operar a una velocidad mucho mayor que 3 gigahercios.





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